RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
36
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
36
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3001
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link