RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
23
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
21
Velocità di lettura, GB/s
13.4
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3512
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link