RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
30
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
30
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3014
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link