RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno 8% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
25
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
4039
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link