RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
37
Intorno 38% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
37
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2356
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link