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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
26
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2846
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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