RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
24
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2731
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link