RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
30
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
30
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2989
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link