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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
35
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
35
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2654
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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