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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
23
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
22
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3112
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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