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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
32
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
32
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2871
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
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