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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Confronto
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HX316C10F/4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
67
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
5.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
67
Velocità di lettura, GB/s
13.9
6.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
5.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2216
1247
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston HX316C10F/4 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
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