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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
41
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
19
Velocità di lettura, GB/s
13.3
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3189
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
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