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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
41
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
30
Velocità di lettura, GB/s
13.3
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3655
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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