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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
13.3
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
2579
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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