RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
41
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
34
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3697
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link