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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
41
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
30
Velocità di lettura, GB/s
13.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3316
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
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