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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
41
Intorno -64% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
25
Velocità di lettura, GB/s
13.3
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
2140
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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