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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
41
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
28
Velocità di lettura, GB/s
13.3
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3244
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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