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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
35
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.1
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
18
Velocità di lettura, GB/s
14.4
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3971
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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