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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno 8% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
38
Velocità di lettura, GB/s
14.4
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2882
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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