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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
35
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
31
Velocità di lettura, GB/s
14.4
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3367
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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