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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
35
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
23
Velocità di lettura, GB/s
14.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3236
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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