RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
37
Intorno 5% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
37
Velocità di lettura, GB/s
14.4
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2814
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Jinyu 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link