RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno -25% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
28
Velocità di lettura, GB/s
14.4
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
1775
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link