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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
35
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
22
Velocità di lettura, GB/s
14.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2648
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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