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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
27
Velocità di lettura, GB/s
14.4
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2823
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
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