RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
35
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
32
Velocità di lettura, GB/s
14.4
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3483
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link