RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
35
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
34
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2910
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link