RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
35
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
14.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
23
Velocità di lettura, GB/s
14.4
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2442
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link