RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
35
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
23
Velocità di lettura, GB/s
14.4
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2548
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link