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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
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Specifiche tecniche
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
39
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
7.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
39
25
Velocità di lettura, GB/s
12.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
2047
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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