RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
28
Velocità di lettura, GB/s
11.7
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3741
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link