RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
39
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
23
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3025
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link