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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
39
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
22
Velocità di lettura, GB/s
11.7
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3010
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
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