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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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Motivi da considerare
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
39
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
37
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2658
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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