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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
67
Intorno 42% latenza inferiore
Motivi da considerare
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
67
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
1876
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
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