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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
26
Velocità di lettura, GB/s
11.7
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2456
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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