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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Specifiche tecniche
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
11.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
30
Velocità di lettura, GB/s
11.7
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2154
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
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