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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
39
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
32
Velocità di lettura, GB/s
11.7
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2929
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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