RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
28
Velocità di lettura, GB/s
11.7
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3567
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link