RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
39
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
36
Velocità di lettura, GB/s
11.7
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3372
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link