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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.7 left arrow 8.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.2 left arrow 6.2
    Valore medio nei test
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    39 left arrow 39
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.7 left arrow 8.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 6.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1749 left arrow 1842

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Confronto tra le RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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