RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
39
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
38
Velocità di lettura, GB/s
11.7
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2825
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link