RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
39
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
29
Velocità di lettura, GB/s
11.7
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
3113
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EF48E8W1333 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link