RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
33
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2913
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link