RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
56
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
56
Velocità di lettura, GB/s
11.7
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2138
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link