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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
39
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
34
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2789
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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