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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
52
Intorno -126% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
23
Velocità di lettura, GB/s
9.7
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
2624
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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