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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
52
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
25
Velocità di lettura, GB/s
9.7
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
3849
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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